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RAM ist der Oberbegriff für Computerspeicher (Arbeitsspeicher) und heißt ausgeschrieben "Random Access Memory", was auf deutsch etwa "Speicher mit wahlfreiem Zugriff" heißt. "Wahlfreier Zugriff" bedeutet, dass jede Speicherzelle gezielt gelesen oder beschrieben werden kann. Eine andere, ähnliche Speicherart ist "ROM". "ROM" heißt ausgeschrieben "Read Only Memory", was auf Deutsch "Nur lese Speicher" heißt. Diese Speicherart wird werkseitig programmiert und kann dann nur noch ausgelesen werden.

Wie wird Arbeitsspeicher angeboten?

RAM-SpeicherchipsBei ersten Computern setzte man einzelne RAM-Bausteine ein. Davon waren dann je nach Bus breite zu dieser Zeit mindestens 4 bis 16 Stück notwendig. Wollte man den Arbeitsspeicher erweitern, musste die gleiche Anzahl an Speicherchips dazugekauft werden.
Da das verwenden einzelner RAM-Bausteine sehr umständlich und vor allem auch Platz intensiv war, packte man diese auf kleine steckbare Platinen, den so genannten Speichermodulen. Auf den einzelnen Speichermodulen sind entweder einseitig oder auch beidseitig die einzelnen Speicherbausteine aufgelötet. Die Speichergröße eines Moduls hängt mit den verwendeten Speicherbausteinen zusammen.

Welche Speicherarten werden verwendet?

Wenn es auf hohes Tempo ankommt, die Speichergröße aber nebensächlich ist, wird meistens so genannter "Statischer Speicher" (SRAM) verwendet. "SRAM" arbeitet sehr schnell, lässt sich aber technisch nicht so klein herstellen. Daher haben die einzelnen Speicherbausteine auch eine geringere Kapazität. Technisch arbeitet SRAM mit bistabilen Kippstufen auch "Flipflops" genannt. Das sind elektronische Schalter (Transistoren) die durch anlegen eines Strom-Impulses ein- und wieder ausgeschaltet werden können. Je Kippstufe werden mehrere Transistoren (mindestens 2 Stück) benötigt.
"SRAM" wird heute oft für Cache-Speicher (Zwischenspeicher) eingesetzt, da es hier vor allem auf ein hohes Tempo ankommt. "SRAM" kann nur mit anliegender Spannung benutzt werden. Sobald die Spannung abfällt, verliert "SRAM" die gespeicherten Daten.

Bei den heute verwendeten RAM Speichermodulen für Computer-Arbeitsspeicher verwendet man hingegen "Dynamischen Speicher" (DRAM). Der Vorteil von "DRAM" ist die sehr einfache Bauweise mit wenigen Bauteilen. Daher kann "DRAM" auch sehr kompakt, mit hohen Speichergrößen je Speicherbaustein hergestellt werden.
"DRAM" speichert die Daten in so genannten Kondensatoren. Das sind winzig kleine "Stromspeicher" wie z.B. Akkus.
Der Nachteil ist, dass diese kleinen Kondensatoren schon nach kurzer Zeit die gespeicherte Ladung wieder verlieren. Daher muss "DRAM" ständig wieder "aktualisiert" (auf englisch "Refresh") werden. Das kostet Zeit, wodurch "DRAM" eine geringere Arbeitsgeschwindigkeit als "SRAM" besitzt.
Auch "DRAM" ist von der Stromversorgung abhängig. Sobald die Spannung abgeschaltet wird verliert "DRAM" nach wenigen Sekunden die Daten.

USB-Speichersticks, MP3 Player und Speicherkarten für digitale Fotoapparate oder Handys arbeiten dagegen mit so genanntem "Flash-Speicher". Flash-Speicher ist zwar noch langsamer als "Dynamischer Speicher", dafür kann dieser auch Daten ohne konstant anliegende Stromversorgung speichern. Allerdings kann man bei Flash-Speicher nicht jede Zelle einzeln löschen, sondern meistens nur in bestimmten Blöcken. Einzelne Speicherzellen können auch nicht sofort mit neuen Daten überschrieben werden, sie müssen für jede Änderung zuerst gelöscht werden. Daher eignet sich Flash-Speicher nicht als RAM Ersatz, eher als Ersatz für Disketten, Festplatten oder optischen Laufwerken.

Wie viel Strom benötigt DRAM?

Für den Betrieb benötigt "DRAM" eine konstant anliegende Versorgungsspannung. Die ersten "DRAM" Module brauchten noch 3,3 Volt Betriebsspannung. Da eine höhere Spannung aber auch einen höheren Stromverbrauch und eine höhere Wärmeentwicklung mit sich führt, versuchte man mit der Weiterentwicklung auch die Spannung zu verringern. DDR-SDRAM kommt bereits mit nur 2,5 Volt aus. Die nächste Generation DDR2-SDRAM mit nur noch 1,8 Volt, DDR3-SDRAMs mit nur noch 1,5 Volt und die neusten DDR4-SDRAMs sogar nur noch 1,2 Volt.

Wie wird DRAM angesprochen?

Ein DRAM Speicher muss man sich intern wie eine Matrix aus Zeilen und Spalten vorstellen, an dessen Schnittpunkten die Speicherzellen liegen. Durch ansteuern einer bestimmten Zeilenadresse und einer Spaltenadresse kann jede einzelne Speicherzelle einzeln angesprochen werden. Natürlich ist das nicht ganz so einfach, da sonst jeder Baustein eine Unmenge an Anschlüssen haben müsste. Intern werden die vielen Zeilen und Spalten zusammengefasst und auf einen Dekodierer geführt.

Was bedeuten die Zahlen auf Speichermodulen?

Neben der Speichergröße und der Taktgeschwindigkeit findet man bei Speichermodulen auch meistens eine Zahlenreihe wie z.B.: "CL2-3-4-5". Diese vier Zahlen geben Aufschluss über die Geschwindigkeit des Speichermoduls und geben Taktzyklen an, die das Modul für bestimmte Aufgaben benötigt.

Die vier Zahlen bedeuten in der Reihenfolge:

  • CL2 = Latency (CL). Der Wert gibt an, wie viele Taktzyklen der Speicher benötigt um angeforderte Daten zur Verfügung zu stellen.
  • -3- = RAS to CAS Delay (tRCD). Um vom Anschluss "RAS" auf den Anschluss "CAS" zu wechseln muss eine bestimmte Verzögerungszeit eingehalten werden, die hier angegeben wird. Diese beiden Anschlüsse werden benötigt um dem Speichermodul die gewünschte Speicherzelle (Spalte und Zeile) mitzuteilen, auf die beim nächsten Durchgang zugegriffen werden soll.
  • -4- = Precharge delay (tRP). Das ist die Verzögerungszeit, bis eine Speicherzelle die geforderte Spannung erreicht hat, also entweder "1" oder "0". Erst wenn diese Zeit verstrichen ist, darf erneut auf eine Speicherzelle in der gleichen Bank zugegriffen werden.
  • -5- = Row-Active-Time (tRAS).Das ist meistens der höchste Wert in der Zahlenreihe und gibt an wie lange es dauern muss, bis nach einem Zugriff auf eine Speicherstelle ein erneuter Zugriff stattfinden darf. Diese Verzögerung kommt zustande aus der "Latency (CL)" + "Precharge delay (tRP)" + "einer gewissen Sicherheitszeitspanne".

Je niedriger die angegebenen Werte, je schneller arbeitet das Speichermodul. Allerdings geben diese Werte alleine noch keinen Aufschluss über die gesamte Zugriffsgeschwindigkeit auf den RAM Speicher. Einen entschiedenen Faktor spielt auch die Taktgeschwindigkeit (Front Side Bus - FSB), mit der das gesamte Speichermodul arbeitet.

Was ist ein SPD-Chip?

Auf allen Speichermodulen befindet sich neben den eigentlichen Speicherbausteinen auch ein kleiner Chip (meist ein EEPROM) auf dem der Hersteller die Spezifikation des Speichermoduls ablegt. Dieser Chip nennt sich "SPD-Chip". Das steht nicht für die gleichnamige politische Partei sondern für "Serial Presence Detect". In diesem Chip sollten z.B. die oben genannten Timings sowie die zu verwendende Taktgeschwindigkeit abgespeichert sein.
Das BIOS (Startprogramm) im Computer liest diese Daten aus und stellt danach, im Automatikbetrieb, die Einstellungen für den Speicherzugriff ein. Somit sollte das einstellen des Speichers kinderleicht sein.
Leider ist das nicht immer so ideal. Zum einen nehmen es die Hersteller oft nicht so genau mit der Programmierung des SPD-Chips und zum anderen sind die eingetragenen Werte manchmal zu hoch angesetzt, damit der Speicher auf jeden Fall fehlerfrei, dafür aber langsamer, läuft.
Man sollte nach dem Einsetzen eines Speichermoduls den Computer mit einem Diagnoseprogramm wie "SiSoftware Sandra" prüfen. Über ein solches Programm kann man meistens auch die eingestellten Timings und Taktfrequenzen ermitteln lassen. Stimmen die Angaben nicht mit den Herstellerangaben überein, sollte man im BIOS die Automatik bei der Speichererkennung deaktivieren und die Werte manuell eintragen.

Welche Speichergenerationen gibt es?

Welche Speichergröße haben die Speicherbausteine?

Die Speichergröße der einzelnen Bausteine ist in den letzten Jahren kontinuierlich gestiegen. 1970 gab es einzelne Speicherbausteine gerade mal mit einer maximalen Größe von 1 KB. Heute gibt es bereits Speicherbausteine mit einer Größe von 4 GB und an größeren wird gearbeitet!
Somit ist es heute ein leichtes auf einem Speichermodul 4 GB Speicher unter zu bringen.

Folgende Speichermodul Bauformen gab, bzw.gibt es:

Die SIMM Bauform:

SIMM-SpeichermoduleDie ersten Speichermodule waren nach der SIMM (Single Inline Memory Modul) Bauform gefertigt. Ein solches Modul hatte 30-Kontakte und es mussten, bei einer damaligen Busbreite von 16-Bit für eine Speicherbank immer zwei gleiche Module eingesetzt werden, da jedes Modul nur eine Busbreite von 8-Bit hatte. Beide Module wurden gleichzeitig angesprochen. SIMM-Module gab es für FPM-DRAM und auch noch für EDO-RAM.

SIMM-Speicherbänke

Die PS/2-SIMM Bauform:

PS/2 - SIMM SpeichermoduleSpäter wurden dann die PS/2-SIMM Module entwickelt. Diese Module haben 72-Kontakte und können bereits einzeln in Computer mit 16-Bit Datenbus eingebaut werden. In neueren Computern mit 32-Bit breitem Datenbus, mussten auch hier wieder zwei gleiche Module je Speicherbank eingesetzt werden. PS/2-SIMM Module gibt es bereits einseitig und zweiseitig bestückt, mit FPM-DRAM und später mit EDO-RAM. Zu erkennen sind PS/2-SIMM Module an einer Kerbe in der Mitte der Kontaktleiste.

PS-2 SIMM Speicherbänke

Die DIMM Bauform:

DIMM SpeichermodulNach den PS/2-SIMM Modulen kam die DIMM (Dual In-Line Memory Module) Bauform. Diese Module hatten bereits 168 Kontakte, verteilt auf beide Seiten des Moduls. Bestückt sind DIMM-Module meist mit SD-RAM und haben bereits eine Busbreite von 64-Bit. DIMM-Module benötigen eine Betriebsspannung von 3,3 Volt. Jedes Modul hat zwei Kerben in der Kontaktleiste, so dass diese in drei Teile aufgeteilt ist.

Die RIMM Bauform:

RIMM SpeichermodulAls komplette Neuentwicklung kam dann die Bauform RIMM (Rambus In-Line Memory Modul) auf den Markt. Wie der Name schon vermuten lässt, handelt es sich dabei um RAM-Module mit RD-RAM Speicherbausteinen. Dieses Modul hat 184 Kontakte über beide Seiten verteilt. Die RIMM Module haben einen Datenbus von "nur" 16-Bit. Dafür besitzt ein RAMBUS-Modul getrennte Ansteuerungen für die Spalten und Zeilenadressierung der Speicherbausteine, wodurch der Zugriff beschleunigt wird. Auch kann ein RIMM-Modul heute mit bis zu 800 MHz Taktfrequenz angesteuert werden. Da auf diesen Speicher sowohl bei der aufsteigenden, als auch bei der abfallenden Flanke des Taktsignals zugegriffen werden kann, liegt der Speichertakt also bei effektiven 1600 MHz.
Seit 2003 werden RIMM Module auch mit so genannten "XDR DRAM" Bausteinen angeboten. Dabei handelt es sich um eine Weiterentwicklung der RD-RAM Speicherbausteine. Der "XDR DRAM" zählte zu dieser Zeit zum schnellsten Speicher Weltweit.

Die DDR-DIMM Bauform:

DDR-DIMM SpeichermodulDanach kamen die DDR-DIMM Module. Diese sind mit DDR-SDRAM Speicherbausteinen bestückt und haben auch 184 Kontakte. DDR-SDRAM arbeitet etwa doppelt so schnell wie einfacher "SD-RAM", da sowohl bei der aufsteigenden- als auch bei der abfallenden Flanke des Taktsignals auf den Speicher zugegriffen werden kann. Dadurch ergibt sich bei DDR-DIMM Modulen ein "Prefetch" von 2. DDR-DIMM Module benötigen eine Betriebsspannung von 2,5 Volt. Bei diesen Modulen gibt es nur eine Einkerbung in der Kontaktleiste.

DDR-Ram Speicherbänke auf einem Mainboard

Die DDR2-DIMM Bauform:

DDR2 DIMM Module mit KühlblechenAuf den ersten Blick sehen DDR2-DIMM Module genau so aus wie die DDR-DIMM Module, sie haben auch nur eine Kerbe in der Kontaktleiste, allerdings an einer etwas versetzt angebrachten Stelle und sind in der Standard PC Version mit 240 Kontakten ausgestattet. DDR2-DIMM Module benötigen für den Betrieb, gegenüber DDR-DIMM Module eine niedrigere Betriebsspannung von 1,8 Volt. Eine Temposteigerung gegenüber DDR-SDRAM wurde bei DDR2-SDRAM dadurch erreicht, dass der Ein- und Ausgabebereich des Speichers intern mit doppeltem Speichertakt arbeitet. Dadurch ergibt sich bei DDR2-DIMM Modulen ein "Prefetch" von 4. Bestückt sind diese Module mit so genannten FBGA "Fine-Pitch Ball Grid Array" DDR2-SDRAM Bausteinen, die optisch schon viel kleiner und flacher aussehen wie DDR-SDRAM Bausteine. Auf dem Bild kann man diese leider nicht sehen, da bei den gezeigten Speichermodulen noch Kühlbleche auf den Speicherbausteinen angebracht sind.

Die DDR3-DIMM Bauform:

Gegenüber dem DDR2-DIMM wurden beim DDR3-DIMM nur "innere Werte" verändert. DDR3-DIMM Module sind ebenfalls mit FBGA "Fine-Pitch Ball Grid Array" RAM-Bausteinen bestückt, allerdings natürlich mit DDR3-SDRAMs. Die Spannungsversorgung wurde nochmals abgesenkt, auf 1,5 Volt. DDR3-DIMM Module arbeiten intern mit vierfachem Speichertakt. Außerdem wird jeweils wieder bei der aufsteigenden- als auch bei der abfallenden Flanke des Taktsignals auf den Speicher zugegriffen. Dadurch ergibt sich bei DDR3-DIMM Modulen ein "Prefetch" von 8. Die Module besitzen wie DDR2-DIMM Module 240 Kontakte und eine Einkerbung, allerdings auch wieder an einer etwas versetzten Stelle.

Die DDR4-DIMM Bauform:

Beim DDR4-DIMM hat sich gegenüber den vorherigen Neuentwicklungen auf den Ersten Blick nicht viel verändert. DDR4-DIMM Module sind ebenfalls mit FBGA "Fine-Pitch Ball Grid Array" RAM-Bausteinen bestückt, allerdings natürlich mit DDR4-SDRAMs. An den "inneren Werten" der DDR4-DIMMs hat sich allerdings nicht viel verändert. Auch die DDR4-DIMM Module arbeiten intern mit vierfachem Speichertakt. Außerdem wird jeweils wieder bei der aufsteigenden- als auch bei der abfallenden Flanke des Taktsignals auf den Speicher zugegriffen. Dadurch ergibt sich bei DDR4-DIMM Modulen, wie bei den DDR3-DIMM Modulen ein "Prefetch" von 8.
Was sich geändert hat sind die Anzahl der Kontakte. DDR4-DIMM Module besitzen 284 Kontakte. Auch die Spannungsversorgung wurde nochmals auf 1,2 Volt abgesenkt. Technisch wurde beim DDR4-DIMM der Speichertakt erhöht und somit an die aktuellen Prozessoren (CPUs) angepasst. Auch wurde der "Dual-Channel" Betrieb aufgehoben, allerdings nicht zum Nachteil. Beim DDR4-DIMM Module erhöht sich die Zugriffsgeschwindigkeit mit der Anzahl der eingesetzten Module. Stecken z.B. drei DDR4-DIMM Module im Computer ist die Zugriffsgeschwindigkeit auch 3-mal so hoch.

Die SO-DIMM Bauform:

Zwei SO-DIMM SpeichermoduleNeben den genannten "großen" Speichermodulen die meist in Desktop-Computern eingebaut werden, gibt es noch eine Modulbauform für Kleincomputer wie z.B. Laptops. Diese Bauform nennt sich SO-DIMM (Small Outline - Dual In-Line Memory Module). In dieser Bauform gibt es passend zu den "großen" Modulen auch entsprechende SO-DIMM Module. Auch diese Module unterscheiden sich durch die Kontaktanzahl und den vorhandenen Einkerbungen.

Zuerst kamen SO-DIMM Module mit 72 Kontakten (je Seite 36) auf den Markt. Diese Module haben eine Busbreite von 32-Bit und sind meist mit EDO-RAM oder SD-RAM bestückt. SO-DIMM Module mit 72 Kontakten sind heute fast nicht mehr erhältlich.

Danach kamen Module mit 144 Kontakten (je Seite 72). Bei diesen Modulen ist die Busbreite bereits auf 64-Bit erhöht worden. Bestückt sind diese mit SD-RAM Speicher. Auch diese SO-Module findet man heute fast nicht mehr.

Nach den Modulen mit SD-RAM kamen SO-DIMM Module mit 200 Kontakten (je Seite 100). Die Busbreite beträgt bei diesen auch 64-Bit. Bestückt sind diese Module mit DDR-SDRAM oder mit "Fine-Pitch Ball Grid Array" DDR2-SDRAM Speicherbausteinen. Module mit DDR-SDRAMs arbeiten auch hier mit 2,5 Volt und Module mit DDR2-SDRAMs mit 1,8 Volt Betriebsspannung.

DDR2-SoDIMM Modul

Danach kamen die derzeit noch aktuellen SO-DIMM Module mit 204 Kontakten (je Seite 102). Diese sind mit "Fine-Pitch Ball Grid Array" DDR3-SDRAM Bausteinen bestückt. Die Busbreite beträgt bei diesen auch 64-Bit. Die SO-DIMM Module mit DDR3-SDRAM arbeiten mit 1,5 Volt Betriebsspannung, wodurch diese für mobile Computer interessanter wurden, da der gesamte Stromverbrauch durch den Speicher gesenkt wird.

Ganz neu kommen jetzt SO-DIMM Module mit 256 Kontakten (je Seite 128). Auch diese sind wieder mit "Fine-Pitch Ball Grid Array" Bausteinen, allerdings mit den neuen DDR4-SDRAMs bestückt. Die Busbreite beträgt bei diesen Modulen auch 64-Bit. Die SO-DIMM Module mit DDR4-SDRAM arbeiten jetzt nur noch mit 1,2 Volt Betriebsspannung, was gerade für mobile Computer ein Vorteil ist.

Alle Bauformen sind nicht kompatibel zueinander. Das heißt, in ein Gerät welches für SO-DIMM Module mit 144 Kontakten ausgelegt ist, können keine Module mit 72, 200 oder 204 Kontakten betrieben werden. Damit nicht versehentlich doch ein falsches Modul eingesetzt wird, haben die Module die Einkerbungen an unterschiedlichen Stellen (siehe Fotos). Selbst bei Modulen, die mit DDR- und DDR2-SDRAM bestückt sind, gibt es Unterschiede. Obwohl beide Module mit 200 Kontakten ausgestattet sind, befinden sich die Einkerbungen an unterschiedlichen Stellen, da jedes dieser Modularten auch mit einer anderen Spannung arbeitet.

SO-DIMM Modul mit 200 Kontakten

Die SO-RIMM Bauform:

Eine andere Modulbauform für Kleincomputer wie z.B. Laptops ist das SO-RIMM (Small Outline - Rambus In-Line Memory Modul). Diese Modulbauart ist selten vertreten und mit RD-RAM Speicher bestückt. Es besitzt 160 Kontakte, verteilt auf 80 Kontakte je Modulseite. SO-RIMMs werden heute allerdings nicht mehr eingesetzt.

Was bedeutet "Dual Channel" beim Arbeitsspeicher?

Zwei identische "Dual Channel" DDR2 DIMM Module"Dual Channel" heißt übersetzt etwa "Zwei Kanäle". Im Zusammenhang mit Arbeitsspeicher benutzt man den Begriff für das verwenden zweier Speichermodule um den Datendurchsatz zu erhöhen. Aktuelle Hauptplatinen und damit auch Prozessoren und Chipsätze unterstützen den "Dual Channel" Betrieb.
Die Speicher Module arbeiten normalerweise im "Single Channel" Modus mit einem Datenbus von 64 Bit breite. Im "Dual Channel" Modus kann gleichzeitig je Taktzyklus auf beide Module zugegriffen werden, dadurch erhöht sich der Datenbus auf 128 Bit. Allerdings wird der Computer dadurch nicht doppelt so schnell, da zum einen nicht ständig auf den Speicher zugegriffen wird und zum anderen die Daten ja auch weiterverarbeitet werden müssen. Im Durchschnitt erhöht "Dual Channel" die Computergeschwindigkeit um 5 bis 20 %.
Für "Dual Channel" sind zwei "normale" Speichermodule erforderlich. Theoretisch müssen diese nicht unbedingt vom gleichen Hersteller sein, sollten allerdings die gleiche Größe und die gleiche Zugriffsgeschwindigkeit besitzen. Möglicher Weise kann es bei unterschiedlichen Modulen aber auch zu Problemen kommen. Am besten benutzt man ein so genanntes "Dual Channel" Paket (Kit) mit zwei absolut identischen Modulen.
Manche Hauptplatinen unterstützen bei den Speichersteckplätzen "Dual Channel" für zwei, andere sogar für zwei mal zwei Module.
Mit den neuen DDR4-DIMMs fällt die Unterstützung von "Dual Channel". Diese Module können mit einer beliebigen Anzahl Modulen kombiniert werden. Theoretisch lassen sich so sogar 3 oder 4 Module zusammen fügen.

Und was ist "Triple Channel"?

Mit immer steigender Computerleistung wird auch der Speicherzugriff stetig verbessert. Mit der Einführung der Hochleistungs-Prozessoren "i7" der Firma "Intel" wurde auch die "Triple Channel" Speicherverwaltung eingeführt. Um diese zu verwenden, werden nun drei, möglichst gleiche DDR3-DIMM Speichermodule benötigt. Die Hersteller bieten dafür inzwischen auch so genannte "Triple Channel Kits" an. Durch die Verwendung von drei Speichermodulen kann gleichzeitig auf drei Speichermodule zugegriffen werden, was die Zugriffsgeschwindigkeit nochmals steigert. "Triple Channel" wird nur für DDR3-DIMM Speichermodule auf aktuellen Hauptplatinen angeboten.
Auch hier noch mal der Hinweis, das mit den neuen DDR4-DIMMs die Unterstützung von "Triple Channel" fällt. Diese Module können mit einer beliebigen Anzahl Modulen kombiniert werden. Theoretisch lassen sich so sogar 3 oder 4 Module zusammen fügen.

Parity / ECC

Heutige Speichermodule gibt es meist mit und ohne Parity bzw. ECC. Diese beiden Verfahren dienen der Fehlererkennung in Speichermodulen, die im Betrieb auftreten können. Normalerweise werden Speichermodule immer ohne Parity (Non-Parity) verkauft, weil diese billiger sind und Fehler normalerweise recht selten auftreten. Speichermodule mit Fehlererkennung benötigen einige Bytes zusätzlich für Prüfzwecke. Somit ist der Datenbus bei Speichermodulen mit Fehlererkennung auch breiter. Module, die ohne Fehlererkennung bei einem 32-Bit Datenbus arbeiten, arbeiten z.B. mit ECC-Fehlererkennung mit einem 39-Bit Datenbus. Module, die ohne Fehlererkennung bei einem 64-Bit Datenbus arbeiten, arbeiten z.B. mit ECC-Fehlererkennung mit einem 72-Bit Datenbus. Alleine aus diesem Grund sind Speichermodule mit Fehlererkennung auch teurer als Module ohne Fehlererkennung.
Speichermodule gibt es heute also in drei Ausführungen: Non-Parity, Parity und ECC. Die genauen Unterschiede habe ich in eigenen Artikeln beschrieben.

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Letzte Aktualisierung: 25.02.2017
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