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DRAM-Speicherchips
In den aller ersten Computern wurden einfacher DRAM (Dynamic Random Access Memory) Speicher eingesetzt. Diese Speicherbausteine waren meist direkt in entsprechenden Fassungen einzeln auf der Hauptplatine untergebracht. Einfacher DRAM wurde schnell zu langsam. So hat man dann ende der 1980er Jahre den FPM-DRAM (Fast Page Mode - Dynamic Random Access Memory) entwickelt.

Wie funktioniert ein Speicherbaustein?

Den Aufbau einer Speicherzelle muss man sich wie ein kariertes Blatt Papier vorstellen. Dabei werden die Zeilen und Spalten Nummeriert. Durch Angabe einer Zeilen- und einer Spaltennummer kann nun jedes Kästchen auf dem Blatt eindeutig identifiziert werden. Die Kästchen auf dem Blatt entsprechen in einem Speicherbaustein die einzelnen Speicherzellen. Um nun etwas in eine Zelle zu speichern oder dort wieder auszulesen, muss der Speichercontroller immer diese Zeilen- und Spalten Nummer angeben. Man nennt diese Koordinaten auch "Index". 

Was wurde nun gegenüber dem DRAM verbessert?

Beim FPM-DRAM wurde der Speicherzugriff durch einen einfachen Trick erhöht. Bei einfachem DRAM Speicher wird nach dem auslesen, oder schreiben eines Speicherblocks sofort der Zeilen- und Spaltenindex gelöscht. Somit "weiß" beim nächsten Speicherzugriff der Computer nicht mehr was er wo vorher ausgelesen oder geschrieben hat und muss diese Indexdaten neu setzen. Es kommt aber sehr häufig vor, dass bei weiteren Zugriffen benachbarte Speicherzellen in der gleichen Zeile angesprochen werden müssen. Das nutzt nun der FPM-DRAM aus. Bei dieser Speicherart werden nach dem Zugriff auf eine Speicherzelle nur noch der Spaltenindex gelöscht. Der Zeilenindex bleibt im Computer gespeichert. Beim nächsten Zugriff auf den Speicher braucht nur noch der Spaltenindex übergeben werden und die nächste Zelle kann ausgelesen oder beschrieben werden.

Erst wenn eine neue Speicherzelle in einer anderen Zeile benötigt wird, muss auch ein neuer Zeilenindex übergeben werden. Durch diesen einfachen Trick konnte der Speicherzugriff gegenüber dem DRAM erheblich gesteigert werden. FPM-DRAMs haben eine Zugriffsgeschwindigkeit von 60 bis 70 ns und wurden bereits auf SIMM- und später auf PS/2-SIMM Modulen verbaut.

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